[주간시사매거진=정상원 기자]삼성전자가 업계 최초로 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발했다고 밝혔다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다.
1일 삼성전자에 따르면 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어 최근 업계 최대 용량인 32Gb D램 개발에 성공했다. 양산은 연내 진행할 계획이다. 삼성전자는 이번 개발로 1983년 64킬로비트(Kb) D램을 개발한 지 40년 만에 D램 용량을 50만배 늘렸다.
32Gb 제품은 동일 패키지 크기에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현했다. 이를 통해 128기가바이트(GB) 모듈을 실리콘 관통 전극(TSV) 공정 없이 제작할 수 있게 됐다. TSV 공정은 첨단 패키징 기술로, 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈을 제작할 때는 TSV 공정 사용이 필수였다.
삼성전자 관계자는 “공정 효율화가 극대화됐다는 의미”라면서 “동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 정보기술(IT) 기업들에 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다”고 설명했다.
삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대할 예정이다. 인공지능(AI) 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 방침이다.
AI와 메타버스, 디지털 트윈, 자율주행 등 최근 부상하는 산업이 많은 데이터를 요구함에 따라 세계적 기업은 데이터센터 확보를 위해 투자하고 있다. 삼성전자는 “이번 32Gb 대용량 D램 개발은 고성능 D램을 원하지만, 투자비도 고려해야 하는 기업에 혁신적인 솔루션이 될 수 있을 것”이라고 말했다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 밝혔다.
